Différences

Ci-dessous, les différences entre deux révisions de la page.

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 [[https://en.wikipedia.org/wiki/Insulated-gate_bipolar_transistor|wkp en]]
-mai 2022 plaque à induction de Colline Henry transistor IGBT = H20R1203 tension élevée : 1200V 20A !
+mai 2022 plaque à induction de Colline Henry transistor IGBT = H20R1203 tension élevée : 1200V 20A !\\
+marquage IHW20R120R3, racine du nom 20R120R donc [[http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/fairchild/SGH20N120RUFD.pdf|SGH20N120RUFDTU]] chez Fairchild\\
+Ceci semble a priori équivalent : [[https://fr.rs-online.com/web/p/igbt/8080231|chez IXYS : IXA12IF1200PB vendu par RS]]\\
+(IXYS aussi a des références qui commencent par "I" comme Infineon et International Rectifier).\\
+Laurent : IXYS est une marque que je fuis. D'expérience j'ai l'impression que la qualité est moindre que chez ST, IR, Infineon ou d'autres vieilles marques comme Fairchild.
+[[https://fr.rs-online.com/web/p/igbt/2266077|IHW30N120R5 de Infineon, marqué H30MR5, chez RS]] et [[https://docs.rs-online.com/f61a/A700000008025591.pdf|datasheet]] : pas mieux, dixit Laurent. Commandé (x30) le 1er septembre 2022.
 RAM : un IGBT 17A parmi un [[https://www.vdram.com/assortiments-de-composants/1873-assortiment-de-mosfets.html|assortiment]] de Mosfets.